DQZHAN技術(shù)訊：電池片為什么會發(fā)生光衰減現(xiàn)象 影響因素有哪些？
1.0緒論
太陽能組件制作完成之后，進行功率測試時，組件功率正常，但是客戶接收到組件，安裝并運營時發(fā)現(xiàn)功率衰減較大。這種現(xiàn)象大多是由于電池片的光致衰減引起的。本文將系統(tǒng)、簡要的闡述光致衰減現(xiàn)象。
2.0光致衰減
光伏組件光致衰減可分為兩個階段：初始光致衰減和老化衰減。
1.初始光致衰減
初始的光致衰減，即光伏組件的輸出功率在剛開始使用的*初幾天內(nèi)發(fā)生較大幅度的下降，但隨后趨于穩(wěn)定。導致這一現(xiàn)象發(fā)生的主要原因是P型（摻硼）晶體硅片中的硼氧復合體降低了少子壽命。通過改變P型摻雜劑，用稼代替硼能有效的減小光致衰減；或者對電池片進行預光照處理，是電池的初始光致衰減發(fā)生在組件制造之前，光伏組件的初始光致衰減就能控制在一個很小的范圍之內(nèi)，同時也提高組件的輸出穩(wěn)定性。
光致衰減更多的與電池片廠家有關(guān)，對于組件廠商的意義在于選擇高質(zhì)量的電池片來降低光致衰減帶來的影響。
2.老化衰減
老化衰減是指在長期使用中出現(xiàn)的極緩慢的功率下降，產(chǎn)生的主要原因與電池緩慢衰減有關(guān)，也與封裝材料的性能退化有關(guān)。其中紫外光的照射時導致組件主材性能退化的主要原因。紫外線的長期照射，使得EVA及背板（TPE結(jié)構(gòu)）發(fā)生老化黃變現(xiàn)象，導致組件透光率下降，進而引起功率下降。
這就要求組件廠商在選擇EVA及背板時，必須嚴格把關(guān)，所選材料在耐老化性能方面必須非常優(yōu)良，以減小因輔材老化而引起組件功率衰減。
3.0光致衰減機理
P型（摻硼）晶體硅太陽電池的早期光致衰減現(xiàn)象是在30多年前觀察到的，隨后人們對此進行了大量的科學研究。特別是*近幾年,科學研究發(fā)現(xiàn)它與硅片中的硼氧濃度有關(guān)，大家基本一致的看法是光照或電流注人導致硅片中的硼和氧形成硼氧復合體,從而使少子壽命降低，但經(jīng)過退火處理，少子壽命又可被恢復，其可能的反應為：
據(jù)文獻報道，含有硼和氧的硅片經(jīng)過光照后其少子壽命會出現(xiàn)不同程度的衰減，硅片中的硼、氧含量越大，在光照或電流注人條件下在其體內(nèi)產(chǎn)生的硼氧復合體越多，其少子壽命降低的幅度就越大。而在低氧、摻稼、摻磷的硅片中，其少子壽命隨光照時間的增加,總體衰減幅度極小。
4.0解決措施
4.1改善硅單晶質(zhì)量
太陽電池性能的早期光致衰減現(xiàn)象主要發(fā)生在單晶硅太陽電池上，對于多晶硅太陽電池來講，其轉(zhuǎn)換效率的早期光致衰減幅度就很小。由此可見硅片自身的性質(zhì)決定了太陽電池性能的早期光致衰減程度。因此要解決光伏組件的早期光致衰減問題。就必須從解決硅片問題人手。下面就幾個方案進行討論。
A、改進摻硼P型直拉單晶硅棒的質(zhì)量
一些單晶棒的質(zhì)量確實令人擔憂，如果不能有效的改變這一狀況將嚴重影響光伏產(chǎn)業(yè)的健康發(fā)展在摻硼直拉單晶產(chǎn)品中主要存在的問題和改進措施：
1）由于原始高純多晶硅料短缺一些拉棒公司就摻人了一些不應該使用的基磷和其它有害雜質(zhì)含量高的質(zhì)次的硅料。使用此類材料生產(chǎn)的太陽電池不但效率低，而且早期光致衰減幅度非常大。我們強烈要求不使用低質(zhì)量的硅料。
2）在高純多晶硅料中摻人過多低電阻率N型硅料苰IC的廢N型硅片等。所制造出的摻硼CZ硅棒是一種高補償?shù)腜型單晶材料。盡管電阻率合適，但硼一氧濃度非常高從而導致太陽電池性能出現(xiàn)較大幅度的早期光致衰減。我們強烈要求不使用低電阻率N型硅料。
3）一些公司拉棒工藝不過關(guān)，晶體硅中氧含量過高，內(nèi)應力大，位錯缺陷密度高，電阻率不均勻，都直接影響了太陽電池的效率及穩(wěn)定性。我們希望改進拉棒工藝?？刂蒲鹾?。
用上述幾種硅片制作的太陽電池有較大幅度的早期光致衰減，會超出客戶所能接受的范圍。其實直拉單晶工藝是很成熟的，只要我們把好用料質(zhì)量關(guān)，按正規(guī)拉棒工藝生產(chǎn)，硅棒的質(zhì)量是可以得到較好控制的。寰瀀愀*攀戀爀攀愀欀崀
B、利用磁控直拉硅單晶工藝（MCZ）改進單晶硅棒產(chǎn)品質(zhì)量
此工藝不僅能控制單晶中的氧濃度，也使硅單晶縱向、徑向電阻率均勻性得到改善這種工藝已在國內(nèi)部分拉棒公司開始試用。
C、利用區(qū)熔單晶硅工藝（FZ）改進單晶硅棒產(chǎn)品質(zhì)量
區(qū)熔單晶硅工藝避免了直拉工藝中大量氧進人硅晶體的固有缺陷，從而徹底解決了P型（摻硼）太陽電池的早期光致衰減現(xiàn)象。因FZ工藝成本較高，主要用于IC和其它半導體器件的硅片制造，但目前一些公司已對FZ工藝進行相關(guān)改造，降低了成本。以適合于太陽電池硅片的制造。國內(nèi)一些拉棒公司已開展了這方面的試制工作
D、改變摻雜劑，用鎵代替硼
用摻稼的硅片制作的電池，沒有發(fā)現(xiàn)太陽電池的早期光致衰減現(xiàn)象，也是解決太陽電池早期光致衰減的辦法之一。
E、使用摻磷的N型硅片代替摻硼的P型硅片
使用誥硅片也是解決電池初試光致衰減問題的方法之一但從目前產(chǎn)業(yè)化的絲網(wǎng)印刷誥電池工藝來看，誥電池在轉(zhuǎn)換效率和制造成本上還沒有優(yōu)勢，一些關(guān)鍵工藝有待解決
4.2、對電池片進行先前光照衰減
由于光伏組件的早期光致衰減是由電池的早期光致衰減導致的，對電池片進行光照預衰減，使電池的早期光致衰減發(fā)生在組件制造之前。光伏組件的早期光致衰減就非常小了，完全可以控制在測量誤差之內(nèi)。同時也大幅度地減少了光伏組件出現(xiàn)熱斑的幾率。
5.0小結(jié)
提高了光伏組件的輸出穩(wěn)定性,為我們的用戶帶來更多的效益。
盡管通過光照預衰減是一種亡羊補牢的方法,但在硅片質(zhì)量沒有得到有效的改善之前,使用此方法是解決光伏組件早期光致衰減問題有效措施。
